搜索页_化学气相淀积(CVD)

网站地图 | English | 公务邮箱

读者指南

学术客户端

NSTL服务站

科技查新

常用资源

内部出版物

CNKI学位论文(20)

中图分类法(20)

数理科学和化学(5)

工业技术(15)

在“CNKI学位论文”中，命中：20条，耗时：0.024988 秒

在所有数据库中总计命中：20条

1.溶胶—凝胶法制备的透明导电氧化物（TCO）薄膜

作者：刘同军

关键词：透光导电氧化物薄膜 ; SnO_2 ; ZnO ; 溶胶-凝胶法 ; 掺杂改性

论文级别：博士

学位年度：2009

2.4H-SiC同质外延薄膜及其高压肖特基二极管器件研究

作者：张发生

关键词：化学气相淀积 ; 4H-SiC同质外延 ; 4H-SiC肖特基二极管 ; 金-半接触 ; 结终端技术 ; 反向耐压

论文级别：博士

学位年度：2010

3.ZnO薄膜的掺杂和光电性质研究

作者：孙利杰

关键词：氧化锌 ; 掺杂 ; 缺陷 ; 光学性质 ; 电学性质 ; 透明导电膜

论文级别：博士

学位年度：2010

4.4H-SiC同质外延的表征及深能级分析研究

作者：贾仁需

关键词：化学气相淀积(CVD) ; 4H-SiC同质外延 ; 材料表征技术 ; 本征深能级 ; 离子注入 ; 退火

论文级别：博士

学位年度：2009

5.先进CMOS高k栅介质的实验与理论研究

作者：孙清清

关键词：高介电常数介质 ; 原子层淀积 ; 分子束外延 ; 单晶氧化物 ; 第一性原理计算 ; 外延生长 ; MOS电容

论文级别：博士

学位年度：2009

6.应变Si/SiGe/Si异质结材料的生长研究

作者：程礼鸿

关键词：CVD ; SiGe ; 应变硅 ; 异质结 ; 电容电压法

论文级别：硕士

学位年度：2012

7.氧化锌纳米棒阵列的制备与研究

作者：刘春冉

关键词：氧化锌纳米棒阵列 ; 预加热 ; 化学水浴法 ; 种子层 ; 光致发光

论文级别：硕士

学位年度：2012

8.PECVD氮化硅薄膜的制备工艺及仿真研究

作者：邓其明

关键词：氮化硅薄膜 ; PECVD ; 工艺参数

论文级别：硕士

学位年度：2010

9.ZnO薄膜的光电性质研究

作者：段理

论文级别：博士

学位年度：2006

10.铪基高介电常数栅介质薄膜的制备及其物性研究

作者：刘毛

关键词：高介电常数栅介质材料 ; 磁控溅射 ; 光学常数 ; 界面层 ; 晶化温度

论文级别：博士

学位年度：2007

1

2

按检索点细分(20)

目录(15)

关键词(1)

摘要(4)

引文(1)

按论文级别细分(20)

博士(9)

硕士(11)

按学位年度细分(20)

2004年(1)

2006年(2)

2007年(3)

2008年(2)

2009年(5)

2010年(3)

2012年(3)

2013年(1)

常见问题　|　交通位置　|　联系我们　|　OA远程办公

© 2004-2018 中国地质图书馆版权所有京ICP备05064691号京公网安备11010802017129号

地址：北京市海淀区学院路29号邮编：100083

电话：办公室：(+86 10)66554848；文献借阅、咨询服务、科技查新：66554700