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1.The effects of flow multiplicity on GaN deposition in a rotating disk CVD reactor

作者：P.A. Gkinis ; I.G. Aviziotis ; E.D. Koronaki ; ^{ekor@mail.ntua.gr} ; G.P. Gakis ; A.G. Boudouvis

关键词：A1. Mass transfer ; A1. Nonlinearity ; A1. Arrhenius plot ; A3. Metalorganic chemical vapor deposition ; A3. Film uniformity ; B1. Gallium nitride

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

2.An X-ray diffraction and Raman spectroscopy investigation of AlGaN epi-layers with high Al composition

作者：Shuchang Wang^a ; ^b ; ^{scw@cslg.edu.cn} ; Xiong Zhang^b ; Qian Dai^b ; Zhe Chuan Feng^c ; Yiping Cui^b

关键词：AlGaN ; Metalorganic chemical vapor deposition ; Crystalline quality ; Optical property ; Raman spectroscopy

刊名：Optik - International Journal for Light and Electron Optics

出版年：2017

3.Metalorganic chemical vapor deposition of hexagonal boron nitride on (001) sapphire substrates for thermal neutron detector applications

作者：K. Ahmed^a ; ^{ahmedk2@rpi.edu} ; R. Dahal^a ; A. Weltz^b ; James J.-Q. Lu^a ; Y. Danon^b ; I.B. Bhat^a

刊名：Vacuum

出版年：2017

4.Effect of nanohole size on selective area growth of InAs nanowire arrays on Si substrates

作者：Xiaoye Wang^a ; ^d ; ^{ywangx06@semi.ac.cn} ; Wenyuan Yang^c ; Baojun Wang^c ; Xianghai Ji^a ; Shengyong Xu^c ; Wei Wang^c ; Qing Chen^c ; Tao Yang^a ; ^b ; ^{tyang@semi.ac.cn}

关键词：A1. Nanowires ; A1. Surfaces ; A3. Metalorganic chemical vapor deposition ; A3. Selective-area growth ; B1. Nanomaterials ; B2. InAs

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2017

5.The effects of indium aggregation in InGaN/GaN single and multiple quantum wells grown on nitrogen-polar GaN templates by a pulsed metalorganic chemical vapor deposition

刊名：Journal of Luminescence

出版年：2017

6.Germanium doping of GaN by metalorganic chemical vapor deposition for polarization screening applications

作者：N.G. Young^a ; ^{ngyoung@engineering.ucsb.edu} ; R.M. Farrell^a ; M. Iza^a ; S. Nakamura^a ; ^b ; S.P. DenBaars^a ; ^b ; C. Weisbuch^a ; ^c ; J.S. Speck^a

关键词：A1. Crystal Morphology ; B1. Nitrides ; A1. Doping ; A1. Atomic Force Microscopy ; A3. Metalorganic chemical vapor deposition

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

7.Study of carbon concentration in GaN grown by metalorganic chemical vapor deposition

作者：Guanxi Piao^a ; ^{Piao.Guanxi@tn-sanso.co.jp} ; Kazutada Ikenaga^a ; Yoshiki Yano^a ; Hiroki Tokunaga^a ; Akira Mishima^a ; Yuzaburo Ban^b ; Toshiya Tabuchi^a ; Koh Matsumoto^a

关键词：A1. Impurities ; A3. Metalorganic chemical vapor deposition ; B1. Nitrides ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

8.Metalorganic chemical vapor deposition of few-layer sp² bonded boron nitride films

作者：Qing Paduano^a ; ^{cpaduano@gmail.com" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Michael Snure^a ; David Weyburne^a ; Arnold Kiefer^a ; Gene Siegel^a ; ^b ; Jianjun Hu^a ; ^c

关键词：Low dimensional structures ; Metalorganic chemical vapor deposition ; Nitrides ; Semiconducting III&ndash ; V materials

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

9.Enhanced optical properties of InAs/InAlGaAs/InP quantum dots grown by metal-organic chemical vapor deposition using a double-cap technique

作者：Bei Shi ; Kei May Lau¹ ; ^{eekmlau@ust.hk" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author}

关键词：A1. Atomic force microscopy ; A1. Photoluminescence ; A3. Quantum dots ; A3. Metalorganic chemical vapor deposition ; B2. Semiconducting quarternary alloys

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

10.Parameters influencing interfacial morphology in GaAs/Ge superlattices grown by metal organic chemical vapor deposition

作者：Roger Jia ; ^{jiaroger@mit.edu" class="auth_mail" title="E-mail the corresponding author} ; Eugene A. Fitzgerald

关键词：A1. Interfaces ; A3. Metalorganic chemical vapor deposition ; B2. Semiconducting gallium arsenide ; B2. Semiconducting germanium ; B2. Semiconducting III&ndash ; V materials

刊名：Journal of Crystal Growth

出版年：2016

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