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1.砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
标准编号：GB/T 11068-2006
标准类型：国家标准
发布单位：全国有色金属标准化技术委员会
发布日期：2006-07-18
实施日期：2006-11-01
2.砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
标准编号：GB/T 8757-2006
标准类型：国家标准
发布单位：全国有色金属标准化技术委员会
发布日期：2006-07-18
实施日期：2006-11-01
3.硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法
标准编号：GB/T 26068-2010
标准类型：国家标准
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
4.硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
标准编号：GB/T 1553-2009
标准类型：国家标准
发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
5.硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
标准编号：GB/T 14146-2009
标准类型：国家标准
发布日期：2009-10-30
实施日期：2010-06-01
6.硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
标准编号：GB/T 1553-1997
标准类型：国家标准
发布单位：中国有色金属工业总公司标准计量研究所
发布日期：1997-06-03
实施日期：1997-12-01
7.硅外延层载流子浓度测定 汞探针电容-电压法
标准编号：GB/T 14146-1993
标准类型：国家标准
关键词：汞探针 ; 载流子 ; 浓度
发布日期：1993-02-06
实施日期：1993-10-01
8.砷化镓外延层载流子浓度电容-电压测量方法
标准编号：GB/T 11068-1989
标准类型：国家标准
发布日期：1989-03-31
实施日期：1990-02-01
9.砷化镓中载流子浓度等离子共振测量方法
标准编号：GB/T 8757-1988
标准类型：国家标准
发布日期：1988-02-25
实施日期：1989-02-01
10.非本征半导体单晶霍尔迁移率和霍尔系数测量方法
标准编号：GB/T 4326-1984
标准类型：国家标准
发布日期：1984-04-12
实施日期：1985-03-01
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