8/20us波形冲击下MOV劣化过程中电容量变化的研究

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• 作者：陈琳傅金安陈毅芬杨超吴健孙涌
• 会议时间：2012-09-01
• 关键词：氧化锌压敏电阻 ; 晶界 ; 劣化 ; 电容 ; 漏电流 ; 压敏电压
• 作者单位：陈琳,傅金安,陈毅芬,杨超,吴健(厦门市避雷监测技术中心 厦门361012)孙涌(北京雷电防护装置测试中心 北京 100176)
• 母体文献：第29届中国气象学会年会论文集
• 会议名称：第29届中国气象学会年会
• 会议地点：沈阳
• 主办单位：中国气象学会
• 语种：chi
• 分类号：V25;V23

摘要

由于目前MOV 型SPD 劣化检测参数U1mA 和Ileakage 不能对MOV 劣化程度做出及时有效的判断,因此,研究一种能够考量MOV 劣化程度的方法尤其重要。根据影响MOV 电容的主要因素以及晶界肖恩特基势垒变化、离子迁移理论等氧化锌压敏电阻的劣化机理,提出了氧化锌压敏电阻劣化过程中必然伴随电容量的变化。通过实验证明,MOV 劣化时电容量的变化与劣化程度具有近似线性的相关性。提出了电容量增幅具有考量MOV 劣化程度的重要意义,同时证明:结合U1mA、Ileakage和电容量3 个参数变化能够更好的分析MOV 内部劣化原因。