硅片局部平整度非接触式标准测试方法

硅片局部平整度非接触式标准测试方法

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标准编号：GB/T 19922-2005
其他标准名称：Standard test methods for measuring site flatness on silicon wafers by noncontact scanning
标准类型：国家标准
关键词：半导体 ; 半导体材料 ; 测量 ; 硅 ; 试验
发布单位：全国有色金属标准化技术委员会
发布日期：2005-09-19
实施日期：2006-04-01
标准分类：方法
CCS：H17
ICS：77.040.01
英文关键词：SEMICONDUCTORS ; SEMICONDUCTOR MATERIALS ; MEASUREMENT ; MEASURING ; MEASUREMENTS ; SILICONE ; SILICON ; EXAMINATION ; TEST ; TRIALS ; TESTING ; REFRACTORY PRODUCTS ; DEPOSIT ; CRUDE OILS ; TESTS ; BRISTLES
起草单位：洛阳单晶硅有限责任公司
归口单位：工业和信息化部(电子)
主管单位：工业和信息化部(电子)
执行单位：工业和信息化部(电子)
标准状态：有效
页数：9
发布年份：2005
部分代替标准：,
适用范围：本标准规定了用电容位移传感法测定硅片表面局部平整度的方法。本标准适用非接触、非破坏性地测量干燥、净洁的半导体硅片表面的局部平整度。适用于直径100 MM及以上、厚度250μM及以上的腐蚀、抛光及外延硅片。

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