硅和锗体内少数载流子寿命测定光电导衰减法
- 标准编号：GB/T 1553-2009
- 其他标准名称：Test methods for minority carrier lifetime in bulk germanium and silicon by measurement of photoconduetivity decay
- 标准类型：国家标准
- 发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
- 发布日期：2009-10-30
- 实施日期：2010-06-01
- 标准分类：方法
- CCS：H80
- ICS：29.045
- 起草单位：峨嵋半导体材料厂
- 起草人：江莉、杨旭
- 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管单位：国家标准化管理委员会
- 执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 标准状态：有效
- 页数：15
- 发布年份：2009
- 代替标准：GB/T 1553-1997,GB/T 1553-1997
- 部分代替标准：,
- 适用范围：本标准规定了硅和锗单晶体内少数载流子寿命的测定方法。本标准适用于非本征硅和锗单晶体内载流子复合过程中非平衡少数载流子寿命的测量。本标准为脉冲光方法。这种方法不破坏试样的内在特性,试样可以重复测试,但要求试样具有特殊的条形尺寸和淹没的表面,见表1。本标准可测的最低寿命值为10μS,取决于光源的余辉。不适用于抛光片的验收测试。
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