硅片载流子复合寿命的无接触微波反射光电导衰减测试方法

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标准编号：GB/T 26068-2010
其他标准名称：Test method for carrier recombination lifetime in silicon wafers by non-contact measurement of photoconductivity decay by microwave reflectance
标准类型：国家标准
发布日期：2011-01-10
实施日期：2011-10-01
标准分类：方法
CCS：H80
ICS：29.045
起草单位：有研半导体材料股份有限公司、瑟米莱伯贸易(上海)有限公司、中国计量科学研究院、洛阳单晶硅有限责任公司等
起草人：曹孜、孙燕、黄黎、高英等
归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
主管单位：国家标准化管理委员会
执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
标准状态：有效
页数：23
发布年份：2010
部分代替标准：,
适用范围：本方法适用于测量均匀掺杂、经过抛光处理的n型或p型硅片的载流子复合寿命。本方法是非破坏性、无接触测量。在电导率检测系统的灵敏度足够的条件下,本方法也可应用于测试切割或者经过研磨、腐蚀硅片的载流子复合寿命。

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