基于磁畴聚合模型的磁记忆效应机理研究

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• 出版年：2007
• 作者：宋凯；任吉林；任尚坤；唐继红
• 单位1：南昌航空工业学院无损检测技术教育部重点实验室
• 出生年：1975
• 学历：硕士
• 职称：讲师
• 语种：中文
• 作者关键词：磁记忆检测；磁畴聚合模型；基础理论分析
• 起始页：312
• 总页数：4
• 经费资助：江西省教育厅重点项目（赣教技字05-312号）；无损检测技术重点实验室开放基金资助项目（ZD200629001）；江西省教育厅科技项目（赣教技字[2006]172号）
• 刊名：无损检测
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1979
• 主管单位：中国科学技术协会
• 主办单位：中国机械工程学会；上海材料研究会
• 主编：王务同
• 地址：上海市邯郸路99号
• 邮编：200437
• 电子信箱：ndt@mat-test.com；jndt@21cn.com
• 网址：http://www.mat-test.com；http://www.chsndt.com
• 卷：29
• 期：6
• 期刊索取号：P830.6 141-1
• 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科技核心期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库来源期刊；EiPageOne和PЖ收录期刊；中国学术期刊（光盘版）收录期刊；中国期刊网收录期刊；中国核心期刊（遴选）数据库收录期刊；中国科协优秀科技期刊；国家机械行业优秀期刊；上海市优秀科技期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊；中国科技核心期刊；中国核心期刊（遴选）数据库收录期刊

摘要

研究了铁磁构件在受载时产生磁记忆效应的机理。结合试件的断裂机制和位错理论，分析了试件组织的微观变化。建立畴壁聚合模型，探讨了构件形成的有取向的宏观磁化。在应力集中区域或微观损伤区域建立带磁偶极子模型，计算试件表面的泄漏磁场。结果表明，畴壁聚合模型可以解释应力集中区域或微观损伤区域的磁场变化。