锰掺杂氧化铜稀磁半导体薄膜的微结构和磁性

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• 出版年：2007
• 作者：赵凡；张亚萍；潘礼庆；HAO Zhu；邱红梅；赵雪丹；John Q.Xiao
• 单位1：北京科技大学物理系
• 出生年：1981
• 学历：硕士生
• 语种：中文
• 作者关键词：氧化铜；稀磁半导体；铁磁性机理；掺杂
• 起始页：115
• 总页数：3
• 经费资助：国家自然科学基金（50472092；50672008）；教育部博士点专项科研基金（20050008028）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1987
• 主办单位：科学技术部西南信息中心
• 主编：张明
• 地址：重庆市北部新区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：21
• 期：12
• 期刊索取号：P/822.06/432
• 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊

摘要

采用射频磁控溅射制备Mn掺杂CuO薄膜样品。X射线衍射结果说明薄膜样品为单相结构且沿（111）取向生长。通过样品的XRD精修得到样品的结构和晶格参数，掺杂后薄膜晶体结构有微小畸变。薄膜的高分辨透射电镜研究证明了对结构和晶粒大小等的精修结果，且同时说明Mn以替代Cu的形式掺入了CuO晶格中。通过对样品M-T曲线的分析，得到样品的居里温度为96.5K，近邻Mn离子之间的耦合为铁磁性，并由居里外斯拟合得到Mn离子的有效磁矩为3.1μB。这说明磁性不是来自于团聚的Mn原子或铜锰的其它氧化物，而很可能来自于替位的锰离子所形成的Mn-O-Cu-O-Mn之间的铁磁性耦合。