Li、N共掺杂实现P型ZnO的机理探讨

详细信息   全文下载|推荐本文 |

• 出版年：2009
• 作者：杨昊；范广涵；李军
• 单位1：华南师范大学光电子材料与技术研究所
• 出生年：1986
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：ZnO；第一性原理；密度泛函理论；双受主共掺杂
• 起始页：896
• 总页数：6
• 经费资助：国家自然科学基金资助项目（50602018），广东省自然科学基金资助项目（06025083）
• 刊名：材料科学与工程学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1983
• 主管单位：国家教育部
• 主办单位：浙江大学
• 主编：赵新兵
• 地址：杭州浙江大学材料系
• 邮编：310027
• 电子信箱：jmse@ema.zju.edu.cn
• 卷：27
• 期：6
• 期刊索取号：P822.06 448
• 数据库收录：美国CA源期刊；全国中文核心期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库来源期刊；美国CSA收录期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

采用基于密度泛函理论的第一性原理赝势法计算了本征ZnO、N掺杂、Li掺杂以及Li、N共掺杂ZnO的能带结构、电子态密度和差分电荷分布。计算结果表明：N掺杂的受主能级局域性较强，导致N溶解度较低，Li替位原子受主能级较浅，但是会受到Li间隙原子的补偿。Li、N共同掺入时，No-Lizn复合受主结构并不是ZnO的主要P型来源，No受主可以与间隙原子Lii形成No-Lii结构，该结构可促进N的掺入，并抑制Li1施主的补偿效应，因而对实现ZnO的P型非常有利。