硅晶体中点缺陷结合过程的分子动力学模拟

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• 出版年：2007
• 作者：王慧娟；陈成；邓联文；江建军
• 单位1：华中科技大学电子科学与技术系
• 出生年：1984
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：分子动力学模拟；点缺陷；扩散
• 起始页：298
• 总页数：3
• 刊名：材料科学与工程学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1983
• 主管单位：国家教育部
• 主办单位：浙江大学
• 主编：赵新兵
• 地址：杭州浙江大学材料系
• 邮编：310027
• 电子信箱：jmse@ema.zju.edu.cn
• 卷：25
• 期：2
• 期刊索取号：P822.06 448
• 数据库收录：美国CA源期刊；全国中文核心期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库来源期刊；美国CSA收录期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

本文采用分子动力学方法模拟了硅晶体中空位与间隙原子的结合过程。利用Stillinger-Waber三体经验势函数表征原子间的相互作用，采用Verlet积分算法，在vC++环境下使用C++语言编程，进行计算机模拟。结果表明，空位和间隙原子倾向于通过<111>方向结合，并且在运动过程中存在着势垒，势垒值为0.5～1.2eV。