利用第一性原理研究Ge：Si电子结构与光学性质

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• 出版年：2009
• 作者：刘芳；王茺；杨瑞东；李亮；熊飞；杨宇
• 单位1：云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所
• 出生年：1983
• 学历：硕士生
• 语种：中文
• 作者关键词：第一性原理；SiGe；电子结构；光学性质
• 起始页：75
• 总页数：5
• 经费资助：国家自然科学基金资助项目（60567001）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：科学技术部
• 主办单位：科学技术部西南信息中心
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：matzhubian@gmail.com；mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：23
• 期：14
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

采用基于密度泛函理论的平面波超软赝势方法和广义梯度近似，计算了掺杂Ge前后单晶Si中Si-Ge键的布居值、键长以及能带结构和态密度。计算结果表明，Ge掺杂后体系晶格常数发生变化，Ge-Si键变长，布居值及带隙宽度减小。还进一步研究了掺杂Ge后的光学性质，掺杂后静态介电常数值与纯Si相比有所增大，且吸收带宽变窄、吸收带边明显红移，并对这些掺杂诱导的材料物性变化进行了解释。