沉积温度和生长停顿对离子束溅射生长Ge/Si多层膜的影响

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• 出版年：2010
• 作者：杨杰；王茺；欧阳焜；陶东平；杨宇
• 单位1：昆明理工大学冶金与能源工程学院
• 单位2：云南大学工程技术研究院光电信息材料研究所
• 出生年：1983
• 学历：博士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：离子束溅射；Ge/Si多层膜；沉积温度；生长停顿
• 起始页：945
• 总页数：6
• 经费资助：国家自然科学基金资助项目(No.60567001，No.10964016)；云南省社会发展自然基金(2008CC012)
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1972
• 主管单位：中国建筑材料联合会
• 主办单位：中材人工晶体研究院
• 主编：沈德忠
• 电子信箱：jtxbbjb@126.com
• 网址：www.jtxb.cn
• 卷：39
• 期：4
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊；《EI》核心期刊

摘要

采用离子束溅射技术生长了一系列Ge/Si多层膜，研究了沉积温度和生长停顿对Ce/Si多层膜结晶性和界面结构的影响。通过对Raman峰峰位、峰强度比值和X射线小角衍射等方面的研究，发现综合控制沉积温度和生长停顿能够得到结晶性和界面都相对理想的多层膜。这为改善Ge/Si多层膜的离子束溅射生长提供了一种有效的方法。