(001)高度择优取向Ba_0.6Sr_0.4TiO₃/Pt异质结的结构及性能

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• 出版年：2010
• 作者：郭哲；刘保亭；王军；李曼；张金平；娄建忠
• 单位1：河北大学物理科学与技术学院
• 出生年：1984
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：BST薄膜；脉冲激光沉积；导电机制
• 起始页：1475
• 总页数：5
• 经费资助：国家自然科学基金(No.60876055,11074063)资助项目；河北省自然科学基金(E2008000620)资助项目；河北省应用基础研究计划重点基础研究项目(10963525D)；高等学校博士点基金(No.20091301110002)；河北省教育厅科学研究计划(No.2007416)；河北省科学技术厅科学技术研究与发展指导计划(No.07215154)；河北大学博士基金(y2006091)资助项目
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1972
• 主管单位：中国建筑材料联合会
• 主办单位：中材人工晶体研究院
• 主编：沈德忠
• 电子信箱：jtxbbjb@126.com
• 网址：www.jtxb.cn
• 卷：39
• 期：6
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊；《EI》核心期刊

摘要

采用射频磁控溅射法结合高真空后退火处理，在MgO(001)单晶基片上制备了Pt薄膜。应用脉冲激光沉积法在Pt/MgO上进一步生长了Ba_0．6Sr_0.4TiO₃(BST)薄膜。借助X射线衍射仪(XRD)、铁电测试仪、LCR表研究了BST/Pt/MgO的结构和性能。研究发现，700℃真空退火可以保证Pt薄膜在MgO基片上实现(001)高度择优生长，以(001)Pt薄膜为模板，可以进一步获得(001)高度择优取向具有铁电性能BST薄膜。在100Hz测试频率下，BST薄膜最大介电常数为1100、调谐率为81%、品质因数为21；在7V的电压下，漏电流密度1.85×10^-5A/cm²进一步分析表明，BST薄膜在0～2.6V之间满足欧姆导电机制，在2.6～7V之间满足普尔-弗兰克导电机制。