CdGeAs₂单晶体的腐蚀研究

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• 出版年：2010
• 作者：黄巍；赵北君；朱世富；何知宇；陈宝军；李佳伟；虞游
• 单位1：四川大学材料科学系
• 出生年：1986
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：CdGeAs₂晶体；化学腐蚀剂；蚀坑形貌；缺陷分析
• 起始页：1349
• 总页数：4
• 经费资助：国家自然科学基金重点项目(No. 50732005)；国家高技术研究发展计划(863)(2007AA03Z443)资助项目
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1972
• 主管单位：中国建筑材料联合会
• 主办单位：中材人工晶体研究院
• 主编：沈德忠
• 电子信箱：jtxbbjb@126.com
• 网址：www.jtxb.cn
• 卷：39
• 期：6
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊；《EI》核心期刊

摘要

报道了一种新型的CdGeAs₂晶体择优腐蚀剂，配方为：H₂O₂(30%)∶NH₄OH（含NH₂325%-28%）∶NH₄Cl(5mol/L):H₂O=1mL:1.5mL:1.5mL:2mL。将经机械研磨、物理抛光和溴甲醇化学抛光处理后的表面平整无划痕的CdGeAs₂晶片，在40℃下超声振荡腐蚀数分钟，采用金相显微镜和SEM进行蚀坑观察。结果表明，新型腐蚀剂对CdGeAs₂晶体(204)和(112)晶面择优腐蚀效果显著，蚀坑取向一致，具有很强的立体感；(204)晶面蚀坑呈三角锥形，(112)晶面蚀坑呈五边形，从晶体结构上对蚀坑形成机理进行了分析讨论。