沉积温度对磁控溅射生长SrRuO₃薄膜结构和性能的影响

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• 出版年：2010
• 作者：王宽冒；张沧生；李曼；周阳；王玉强；王侠；彭英才；刘保亭
• 单位1：河北大学物理科学与技术学院
• 出生年：1985
• 学历：硕士
• 语种：中文
• 作者关键词：SrRuO₃；磁控溅射；外延薄膜
• 起始页：135
• 总页数：5
• 经费资助：国家自然科学基金(No.60876055)；河北省自然科学基金项目(E2008000620)；教育部科学技术研究重点项目(No．207013)；河 北省应用基础研究计划重点基础研究项目(08965124D)
• 刊名：人工晶体学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1972
• 主管单位：中国建筑材料联合会
• 主办单位：中材人工晶体研究院
• 主编：沈德忠
• 电子信箱：jtxbbjb@126.com
• 卷：39
• 期：1
• 期刊索取号：P311.06105
• 核心期刊：中文核心期刊

摘要

采用射频磁控溅射法在(001)SrTiO₃基片上制备了SrRuO₃薄膜，采用X射线衍射(XRD)、原子力显微镜(AFM)、四探针测试仪等分析方法系统研究了沉积温度对SrRuO₃薄膜结构、表面形貌及输运性质的影响。实验结果表明：当生长温度低于550℃时，SrRuO₃薄膜为多晶结构；当温度在550～650℃范围内变化时，SrRuO₃薄膜可以在SrTiO₃基片上外延生长，薄膜的最低电阻率约为0.5mΩ·cm。