硅锗低维纳米结构能带转换机制

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• 论文作者：吴学科 ; 黄伟其
• 年：2017
• 作者机构：贵州大学物理学院纳米光子物理研究所;
• 论文关键词：第一性原理 ; 量子限制效应 ; 直接带隙
• 会议召开时间：2017-05-25
• 会议录名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会会议论文集
• 语种：中文
• 分类号：O471.5
• 学会代码：XMJS
• 会议名称：第十二届全国硅基光电子材料及器件研讨会
• 会议地点：中国福建厦门
• 主办单位：厦门大学物理科学与技术学院、浙江大学硅材料国家重点实验室
• 学会名称：厦门大学物理科学与技术学院
• 页数：1
• 文件大小：312k
• 原文格式：D
• 会议级别：全国

摘要

<正>近年来,在研究硅和锗的发光特性时发现,低维纳米结构能使其能带发生变化并带来很强的PL发光,同时出现了大量关于硅锗低维纳米结构能带转换的理论研究。本文采用第一性原理,对硅和锗的一维纳米线、二维纳米薄膜进行系统的计算,展现硅和锗低维纳米结构的能带变化规律及其原因。通过计算发现,硅锗低维纳米结构的能带结构转换主要与硅(100)晶向和锗(111)晶向受限有关,而与硅(111)晶向和锗(110)晶向受限无关;硅(110)晶向和锗(100)

引文

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