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Superstrate结构Cu_2SnZnS_4薄膜太阳电池的制备研究
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摘要
由于Cu_2SnZnS_4材料具备光吸收系数高、禁带宽度合适、组成元素储量丰富、无毒无害等优点,成为一种很有前景的太阳电池吸收材料。文献报道Cu_2SnZnS_4太阳电池效率已经达到9.2%~([1]),掺杂后效率最高达到11.5%~([2]),具有一定的产业化潜力。当前,Cu_2SnZnS_4薄膜太阳电池研究的主流是类似CIGS电池的substrate结构(图1),本研究组另辟蹊径,通过喷雾热解方法制备了superstrate结构Cu_2SnZnS_4薄膜太阳电池。图2为superstrate结构Cu_2SnZnS_4薄膜电池示意图,最下面为致密层,防止器件短路,缓冲层为CdS,吸收层为Cu_2SnZnS_4,图3为当前制备的Cu_2SnZnS_4薄膜电池的器件性能,电池效率很低,主要表现为短路电流密度和填充因子较低。原因是喷雾热解法制备的Cu_2SnZnS_4薄膜材料晶粒较小(图4),缺乏硫化或硒化退火处理(硫化或硒化会破坏FTO导电性和CdS,当前正在设法解决这个问题)导致结晶性能差,后续工作正在进行中。
引文
[1]Hao X J,Sun K W,Yan C,IEEE 43rd Photovoltaic Specialists Conference(PVSC),2016
    [2]Yan C,Sun K W,Huang J l,Hao X J,ACS Energy Lett.,2017,2,930-936.

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