硅(100)晶面各向异性腐蚀的凸角补偿方法

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英文篇名：Convex corner compensation method of anisotropic etching in (100) crystal surface of silicon 作者：郭玉刚 ; 吴佐飞 ; 田雷 英文作者：GUO Yu-gang;WU Zuo-fei;TIAN Lei;AECC Aero Engine Control System Institute;The 49th Research Institute of China Electronics Technology Group Corporation; 关键词：各向异性腐蚀 ; 削角腐蚀 ; 凸角补偿 ; 过载保护 英文关键词：anisotropic etching;;cutting angle etching;;convex corner compensation;;overload protection 中文刊名：CGQJ 英文刊名：Transducer and Microsystem Technologies 机构：中国航发控制系统研究所;中国电子科技集团公司第四十九研究所; 出版日期：2019-03-06 出版单位：传感器与微系统 年：2019 期：v.38;No.325 语种：中文; 页：CGQJ201903007 页数：3 CN：03 ISSN：23-1537/TN 分类号：31-33

摘要

针对单晶硅(100)晶面在氢氧化钾(KOH)腐蚀液中各向异性腐蚀时的削角问题,进行了一项凸角补偿实验。通过不同尺寸与形状组合的〈110〉条形补偿结构,对长方形凸台进行补偿,最终获取具有期望效果的补偿结构。该方法应用于压力传感器芯片的过载保护结构设计。
        A convex corner compensation experiment of anisotropic etching in( 100) crystal surface of silicon is proposed. The rectangle boss is compensated by〈110〉strips with different dimension and shape,and finally the expected compensation structure is obtained. The compensation method is used for design of overload protection structure in pressure sensor.

引文

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