第一性原理计算V掺杂Ca_2Si几何结构与能带结构

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	作者：邓永荣 ; 骆远征 关键词：第一性原理 ; 掺杂 ; 能带结构 ; 几何结构 英文关键词：First Principle;;doping;;band structure;;geometric structure 中文刊名：CXYY 英文刊名：Technology Innovation and Application 机构：安顺学院电子与信息工程学院;安顺学院数理学院; 出版日期：2019-08-13 出版单位：科技创新与应用 年：2019 期：No.279 基金：贵州省教育厅创新群体重大研究项目(黔教合KY字[2016]048号);; 安顺学院创新团队(2015PT02号)资助课题 语种：中文; 页：CXYY201923012 页数：2 CN：23 ISSN：23-1581/G3 分类号：42-43

摘要

文章采用第一性原理方法计算了V掺杂Ca_2Si几何结构和能带结构。计算结果表明,V掺杂后晶胞体积、总能量减小。能带结构上,V置换CaⅠ的带隙变宽为0.42eV,V置换CaⅡ的带隙变窄为0.17eV,费米能级都进入导带,导电类型为n型。
        In this paper, the geometric structure and band structure of V-doped Ca_2Si are calculated by First Principle method.The results show that the cell volume and total energy decrease after V doping. In the energy band structure, the band gap of Vreplaced Ca Ⅰ is 0.42 eV, the band gap of V-replaced Ca Ⅱ is 0.17 eV, the Fermi level enters the conduction band, and the conduction type is n-type.

引文

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