MgO和烧结温度对Al2O3陶瓷致密化过程的影响

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• 作者：程诚贾成厂王召利黄小泓王聪瑜
• 会议时间：2015-09-09
• 关键词：氧化铝陶瓷 ; 放电等离子烧结工艺 ; 氧化镁 ; 烧结温度 ; 致密化过程
• 作者单位：北京科技大学新材料技术研究院,北京100083
• 母体文献：2015年全国粉末冶金学术会议暨海峡两岸粉末冶金技术研讨会论文集
• 会议名称：2015年全国粉末冶金学术会议暨海峡两岸粉末冶金技术研讨会
• 会议地点：武汉
• 主办单位：中国机械工程学会
• 语种：chi
• 分类号：TF1;TG1

摘要

以高纯α-Al2O3粉体为原料,MgO为烧结助剂,采用放电等离子烧结技术(SPS)制备氧化铝陶瓷.研究了烧结助剂含量和烧结温度对氧化铝陶瓷的致密化过程及显微结构影响,并分析了烧结过程中气孔的扩散与演变.结果表明:添加适量MgO可以降低氧化铝陶瓷的烧结温度,抑制晶粒长大,提高致密度,0.25wt%是MsO的最佳添加量;随着烧结温度的升高,晶粒发育完全,气孔率降低,1550℃为最佳烧结温度;在此条件下获得的微米晶氧化铝陶瓷,其相对密度达到99.96%,平均晶粒尺寸约为3μm,且晶粒大小均匀,几乎无异常长大现象.