InχGa1-χN/GaN界面结构高分辨TEM模拟像

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• 作者：石林张锦平
• 会议时间：2010-10-08
• 关键词：InGaN材料 ; 中短波长光电器件 ; 界面结构 ; 晶体质量
• 作者单位：中科院苏州纳米技术与纳米仿生研究所,江苏 苏州 215125
• 母体文献：2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会论文集
• 会议名称：2010年全国电子显微学会议暨第八届海峡两岸电子显微学研讨会
• 会议地点：杭州
• 主办单位：中国物理学会
• 语种：chi

摘要

@@InGaN材料是用于中短波长光电器件的重要材料,可以通过调节In浓度实现带隙宽度在0.7—3.4eV之间变化从而覆盖红外到紫外波段,是用于中短波长光电器件的重要材料,在蓝绿LED、太阳能电池等器件方面有广阔前景。现阶段InGaN材料主要是在GaN衬底上外延得到,但在In浓度较高时会出现相分离和In原子的偏聚严重影响晶体质量。在生长过程中InxGaI-xN/GaN的界面结构对晶体质量起到至关重要的作用,而对其界面结构深入研究的需求也日益迫切。