Ti3SiC2/Ni扩散连接接头的界面结构及连接强度

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• 作者：尹孝辉
• 会议时间：2011-11-26
• 关键词：镍金属 ; 陶瓷材料 ; 扩散连接 ; 界面结构 ; 剪切强度
• 作者单位：安徽工业大学材料科学与工程学院,马鞍山243002
• 母体文献：2011年安徽省科协年会——机械工程分年会论文集
• 会议名称：2011年安徽省科协年会——机械工程分年会
• 会议地点：合肥
• 主办单位：安徽省科协
• 语种：chi
• 分类号：TG4;TQ4

摘要

本文利用Gleeble3500热模拟实验机,在800~1000℃、10~90min和6~20MPa条件下对Ti3SiC2和Ni进行真空扩散连接.采用扫描电镜、X射线、电子探针等分析手段确定了界面结构和反应产物,并用剪切实验评价了接头的连接强度.结果表明,在连接过程中,界面生成Ni31Si12、Ni16Ti6Si7、Ti2Ni和TiCx多种反应产物,形成了Ni/Ni31Si12+Ni16Ti6Si7+TiCx/Ti3SiC2+Ti2Ni+TiCx/Ti3SiC2的界面结构.在1000℃、10min和20MPa实验条件下,获得的Ti3SiC2/Ni接头的剪切强度达到121±7MPa,接近Ti3SiC2陶瓷的剪切强度.