电磁脉冲磁场对微电子设备的效应研究

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• 作者：周璧华高成石立华李炎新
• 会议时间：2004-10-01
• 关键词：电磁脉冲磁场 ; 微电子设备 ; 干扰阈值 ; 磁场脉冲宽度 ; 回击电流 ; LEMP防护
• 作者单位：解放军理工大学雷电与电磁脉冲研究所,南京 210007
• 母体文献：第三届中国防雷论坛论文集
• 会议名称：第三届中国防雷论坛
• 会议地点：深圳
• 主办单位：中国气象学会
• 语种：chi

摘要

在磁场脉冲宽度相同的情况下,脉冲磁场对微机的干扰阈值随脉冲上升时间的减小而降低;而在脉冲磁场上升时间相同的情况下,脉宽减小时,脉冲磁场对微机的干扰阈值变化很小,不超过±10%。这说明,上升时间为微秒级、半峰值时间达几百微秒的脉冲磁场对微机系统的耦合随脉冲上升时间的减小而增强,脉宽的变化对耦合几乎没有影响。对LEMP磁场而言,这意味着后续回击电流产生的磁场是不可忽视的。由本研究计算所得的数据可以看出,后续回击电流产生的磁场其峰值虽然只有首次回击的一半,但其上升时间也只有首次回击的一半。就对微电子设备的影响而言,二者几乎是等同的。 这一实验研究成果的获得,为电子学系统的LEMP防护设计提供了一个重要方面的依据。