热处理对低磁场下Gd5Si2Ge2合金相变行为和磁热效应的影响

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• 作者：侯雪玲胡星浩汪学真曾智徐晖
• 会议时间：2009-10-14
• 关键词：Gd5Si2Ge2 ; 合金 ; 相变行为 ; 磁热效应
• 作者单位：上海大学材料研究所,上海 200072 上海大学微结构重点实验室,上海 200444
• 母体文献：2009中国材料研讨会论文集
• 会议名称：2009中国材料研讨会
• 会议地点：苏州
• 主办单位：中国材料研究学会
• 语种：chi

摘要

本文研究了热处理对Gd5Si2Ge2合金相变行为和磁热效应的影响。 研究结果表明:高温热处理能改善Gd5Si2Ge2合金的相结构组成和磁热效应。当热处理制度为1573 K/1h时,合金倾向于生成Gd5Si2Ge2单斜结构,一级相变容易发生,合金在0-1.5T外加磁场下,等温磁熵变(△SN)从热处理前的5.03J/kg·K(276 K)迅速提高到到20.4J/kg·K(278 K)。实验证明,高温热处理有利于合金在外加磁场较低情况下获得巨磁热效应,使Gd5Si2Ge2合金在低场下磁热效应大幅度提高。