硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法
- 标准编号：GB/T 24574-2009
- 其他标准名称：Test methods for photoluminescence analysis of single crystal silicon for III-V impurities
- 标准类型：国家标准
- 关键词：硅 ; 化学分析和试验 ; 杂质 ; 晶体 ; 半导体
- 发布单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会
- 发布日期：2009-10-30
- 实施日期：2010-06-01
- 标准分类：方法
- CCS：H80
- ICS：29.045
- 英文关键词：SILICON ; SILICONE ; CHEMICAL ANALYSIS AND TESTING ; IMPURITIES ; IMPURITY ; CRYSTALS
- 起草单位：信息产业部专用材料质量监督检验中心、中国电子科技集团公司第四十六研究所
- 起草人：李静、何秀坤、蔺娴
- 归口单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 主管单位：国家标准化管理委员会
- 执行单位：全国半导体设备和材料标准化技术委员会
- 标准状态：有效
- 页数：12
- 发布年份：2009
- 部分代替标准：,
- 采用标准：SEMI MF1389-0704
- 适用范围：本标准规定了硅单晶中Ⅲ-Ⅴ族杂质的光致发光测试方法。本标准适用于低位错单晶硅中导电性杂质硼和磷含量的同时测定。本标准用于检测单晶硅中含量为1×LO
AT?CM ~5×10 AT?CM 的各种电活性杂质元素。
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