硅烷膜的阴极电化学辅助沉积及其防护性能
- 出版年：2006
- 作者：张卫民；胡吉明
- 单位1：金华职业技术学院
- 出生年：1975
- 学历：硕士
- 职称：讲师
- 语种：中文
- 作者关键词：硅烷膜；电化学辅助沉积；铝合金；防腐蚀
- 起始页：295
- 总页数：4
- 经费资助：国家自然科学基金项目50571090和浙江省自然科学基金项目Y404295资助
- 刊名：金属学报
- 是否内版：否
- 刊频：月刊
- 创刊时间：1956
- 主办单位：中国金属学会
- 主编：柯俊
- 地址：沈阳文化路72号
- 邮编：110016
- 电子信箱：jsxb@imr.ac.cn
- 网址：www.ams.org.cn
- 卷：42
- 期：3
- 期刊索取号：P750.66 350
- 数据库收录：国家自然科学基金专项资助期刊
摘要
采用电化学辅助技术在LY12铝合金表面沉积了两种防护性硅烷膜（1，2-二一（三乙氧基硅基）乙烷（BTSE）膜与十二烷基三甲氧基硅烷（DTMS）膜）.电化学阻抗谱测试结果显示，经硅烷化处理后铝合金的耐蚀性能得到大幅度提高，并且发现在阴极电位下沉积所得硅烷膜的耐蚀性能较常规“浸涂法”有明显提高；两种硅烷膜均存在一个最佳的“临界阴极电位”（-0.8V），在此电位下制得的膜耐蚀性最佳.扫描电镜观察显示临界电位下所得硅烷膜最为完整致密，电位过正不利于成膜，而电位继续变负膜表面呈现多孔形貌，可能与氢气的生成并溢出破坏表面有关.由于在硅烷分子中含有疏水性较强的十二烷基长链，DTMS膜具有更好的耐蚀性.