纳米硅微晶对于Er离子掺杂的SiO₂薄膜的光致发光和电致发光的不同影响

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• 出版年：2009
• 作者：张俊杰；孙甲明；杨阳；张新霞；刘海旭；W.Skorupa；M.Helm
• 单位1：南开大学物理学院弱光非线性光子学教育部重点实验室南开大学
• 出生年：1982
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：铒；电致发光；光致发光；二氧化硅；纳米硅
• 起始页：135
• 总页数：4
• 经费资助：“973计划”资助项目（2007CB613403），国家自然科学基金资助项目（60776036），教育部新世纪人才项目（NCET-07-0459）
• 刊名：材料科学与工程学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1983
• 主管单位：国家教育部
• 主办单位：浙江大学
• 主编：赵新兵
• 地址：杭州浙江大学材料系
• 邮编：310027
• 电子信箱：jmse@ema.zju.edu.cn
• 卷：27
• 期：1
• 期刊索取号：P822.06 448
• 数据库收录：美国CA源期刊；全国中文核心期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库来源期刊；美国CSA收录期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

本文利用Er和硅离子共注入热氧化SiO₂薄膜的方法制备出Er离子掺杂的含纳米硅微晶的SiO₂发光薄膜，在此基础上制备出ITO/SiON/Si-richSiO₂：Er/SiMOS结构电致发光器件，比较研究了硅微晶密度的变化对于MOS结构的电致发光和光致发光特性的影响。随着纳米硅微晶的增多，Er离子在1.54μm处的红外光致发光显著增强，显示出纳米硅微晶对Er离子光致发光的敏化作用。相反，对于电致发光来说，增加纳米硅微晶数量的同时也增加了SiO₂薄膜中的电子俘获陷阱，电子在纳米硅微晶之间的隧穿降低了过热电子的数量和平均能量，因而降低了碰撞激发Er离子产生的电致发光效率。