高介电常数栅极电介质材料的研究进展

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• 出版年：2005
• 作者：张化福；祁康成；吴健
• 单位1：电子科技大学光电信息学院
• 出生年：1977
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：高介电常数；栅介质；等效氧化物厚度；退火
• 起始页：37
• 总页数：4
• 经费资助：电子科技大学青年基金（基金编号YF020503）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1987
• 主办单位：科学技术部西南信息中心
• 主编：彭丹
• 地址：重庆市渝中区胜利路132号
• 邮编：400013
• 电子信箱：mat-rev@163.com；matreved@163.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：19
• 期：3
• 期刊索取号：P/822.06/432
• 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊

摘要

随着半导体技术的飞速发展，作为硅基集成电路核心器件的MOSFET的特征尺寸正以摩尔定律的速度缩小。然而，当传统柵介质层SiO₂的厚度减小到原子尺寸时，由于量子隧穿效应的影响，SiO₂将失去介电性能，致使器件无法正常工作。因此，必须寻找新的高介电常数材料来替代它。目前，高介电常数材料是微电子行业最热门的研究课题之一。主要介绍了栅介质层厚度减小所带来的问题（即研究高介电常数材料的必要性）、新型栅电介质材料的性能要求，并简要介绍和评述了近期主要高介电常数栅介质材料的研究状况及其应用前景。