黑硅制备技术及其应用的研究进展
- 出版年：2010
- 作者：徐文婷；屠海令；常青；肖清华
- 单位1：北京有色金属研究总院
- 单位2：有研半导体材料股份有限公司
- 出生年：1983
- 学历：博士研究生
- 语种：中文
- 作者关键词：黑硅；微结构；反射率
- 起始页：930
- 总页数：6
- 经费资助：国家自然科学基金（60706001）资助项目
- 刊名：稀有金属
- 是否内版：否
- 刊频：双月刊
- 创刊时间：1977
- 主管单位：中国有色金属工业协会
- 主办单位：北京有色金属研究总院
- 主编：屠海令
- 地址：北京新街口外大街2号
- 邮编：100088
- 电子信箱：xxsf@grinm.com；rmchina@263.net
- 卷：34
- 期：6
- 期刊索取号：P755.06 709-1
- 数据库收录：中文核心期刊；冶金工业类核心期刊；SCOPUS数据库源期刊；美国化学文摘（CA）收录期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库源期刊；中国物理学文献数据库源期刊
- 核心期刊：中文核心期刊；冶金工业类核心期刊
摘要
基于黑硅材料的发展，讨论了国内外在黑硅制备技术方面的研究进展，包括反应离子刻蚀法、飞秒激光脉冲法、电化学刻蚀法及金属辅助刻蚀法，总结了各种工艺在应用上的特点，对黑硅材料当前取得的应用及发展进行了综述。结果表明：黑硅材料的特殊结构能够极大降低硅表面光反射，有效提高硅太阳能电池转换效率；其特殊光敏性可应用于光波探测器；表面各向异性的黑硅在红外吸收中可以产生太赫兹辐射。当前飞秒激光脉冲法制备的黑硅材料体现了很好的光敏性，并且有望直接嵌入目前半导体制造工艺，因此备受青睐，然则其制备成本较高；相比之下，电化学刻蚀法则设备简单、成本较低，亦颇具研究前景。最后，展望了国内黑硅材料的发展趋势。