大注入水平下少子寿命的数值计算与分析

详细信息   全文下载|推荐本文 |

• 出版年：2010
• 作者：罗方颖；宋晨路
• 单位1：浙江大学材料系
• 出生年：1985
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：少子寿命；表面复合率；SPV；注入水平
• 起始页：563
• 总页数：5
• 刊名：材料科学与工程学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1983
• 主管单位：国家教育部
• 主办单位：浙江大学
• 主编：赵新兵
• 地址：浙江大学材料系
• 邮编：310027
• 电子信箱：jmse@ema.zju.edu.cn
• 卷：28
• 期：4
• 期刊索取号：P82.06 448
• 数据库收录：美国CA源期刊；全国中文核心期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库来源期刊；美国CSA收录期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

实现表面光电压法（SPV）在大注入水平下的少子寿命测量对表面光电压技术的应用和准确测量具有重要意义。本文计算了P型单晶硅片三种复合机制下注入水平与体寿命及表面复合率的关系。结果表明随着注入水平提高，主导复合机制发生改变，且少子寿命并不是一直随注入水平的增加而增加，而与杂质能级位置有关，表面复合率则恰好相反。为验证计算结果，对P型单晶硅片进行了注入水平可调的少子寿命测试。通过样品表面钝化，分离体表寿命，分别得到了注入水平与少子寿命和表面复合率的实验变化关系。理论计算结果与实验数据在测试范围内一致。