基于超高密度信息存储薄膜制备的研究进展

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• 出版年：2007
• 作者：张秀清；潘礼庆；蔡莉；郭海明；申承民；高鸿钧
• 单位1：北京科技大学应用科学学院物理系
• 单位2：中国科学院物理研究所纳米物理与器件实验室
• 出生年：1982
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：超高密度信息存储；存储介质薄膜；薄膜制备；扫描探针显微镜
• 起始页：4
• 总页数：3
• 经费资助：国家自然科学基金（50472092；50672008）；教育部博士点专项科研基金（20050008028）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：月刊
• 创刊时间：1987
• 主办单位：科学技术部西南信息中心
• 主编：张明
• 地址：重庆市北部新区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：21
• 期：11
• 期刊索取号：P/822.06/432
• 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊

摘要

信息技术的发展要求存储器件必须具备超高存储密度、超快的存取速率。存储介质是高密度信息存储研究中的基本问题，目前几乎所有的超高密度存储技术都是在薄膜介质上实现的。薄膜的性质除依赖于存储介质材料外还依赖于薄膜的制备技术。从存储介质薄膜的制备角度介绍了超高密度信息存储的研究进展。