SAW器件用金刚石基c轴取向LiNbO₃压电薄膜的制备

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• 出版年：2010
• 作者：王新昌；田四方；贾建峰；王前进
• 单位1：郑州大学物理工程学院材料物理教育部重点实验室
• 单位2：浙江大学硅材料国家重点实验室
• 出生年：1976
• 学历：博士
• 语种：中文
• 作者关键词：LiNbO₃压电薄膜；金刚石/硅基底；脉冲激光沉积
• 起始页：810
• 总页数：4
• 经费资助：国家自然科学基金资助项目（50702051），硅材料国家重点实验室开放课题资助项目（SKL2008-4）
• 刊名：材料科学与工程学报
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1983
• 主管单位：国家教育部
• 主办单位：浙江大学
• 主编：赵新兵
• 地址：浙江大学材料系
• 邮编：310027
• 电子信箱：jmse@ema.zju.edu.cn
• 卷：28
• 期：6
• 期刊索取号：P82.06 448
• 数据库收录：美国CA源期刊；全国中文核心期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库来源期刊；美国CSA收录期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

采用脉冲激光沉积技术，在以c轴取向ZnO作为缓冲层的金刚石/硅基底上制备出了结晶良好的高c轴取向LiNbO₃薄膜。利用X射线衍射对薄膜的结晶质量和c轴取向性进行了研究，结果表明制得的LiNbO₃薄膜具有高度c轴取向且结晶质量良好。采用扫描电子显微镜和原子力显微镜对薄膜的表面形貌进行了分析，发现薄膜表面光滑，晶粒尺寸均匀，薄膜表面粗糙度约为20nm。