第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用

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• 出版年：2009
• 作者：雷通；王小平；王丽军；张雷；吕承瑞；王隆洋
• 单位1：上海理工大学理学院
• 出生年：1984
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：宽禁带半导体材料；SiC；GaN；ZnO；金刚石；发光二极管
• 起始页：7
• 总页数：5
• 经费资助：上海市教育发展基金资助项目（07ZZ95）
• 刊名：材料导报
• 是否内版：否
• 刊频：半月刊
• 创刊时间：1987
• 主管单位：科学技术部
• 主办单位：科学技术部西南信息中心
• 主编：张明
• 地址：重庆市渝北区洪湖西路18号
• 邮编：401121
• 电子信箱：matzhubian@gmail.com；mat-rev@163.com；matreved@163.com；maeditor@gmail.com
• 网址：http://www.mat-rev.com
• 卷：23
• 期：1
• 期刊索取号：P822.06 432
• 数据库收录：全国中文核心期刊；中国科学引文数据库来源期刊；中国科技论文统计源期刊
• 核心期刊：全国中文核心期刊

摘要

LED产业目前发展非常迅速，LED白光照明和全色显示的前景被普遍看好。宽禁带半导体在LED产业中的应用是推动LED产业向前发展的一个重要动力，并已成为很多国家研究和开发的热点。目前宽禁带半导体在LED产业中发展很快，其应用越来越广泛，相关技术也日渐成熟。综述了几种具有代表性的第三代半导体材料在LED产业中的发展和应用以及各自面临的问题。