用于1.44μm半导体激光器的GaInAs/InGaAsP量子阱结构的设计

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• 出版年：2004
• 作者：劳燕锋；吴惠桢
• 单位1：中科院上海微系统与信息技术研究所信息与功能材料国家重点实验室
• 出生年：1977
• 学历：硕士研究生
• 语种：中文
• 作者关键词：半导体激光器；量子阱结构；应变；光增益谱
• 起始页：511
• 总页数：5
• 经费资助：国家重点基础研究发展计划（2003CB314903）资助项目
• 刊名：稀有金属
• 是否内版：否
• 刊频：双月刊
• 创刊时间：1977
• 主办单位：中国有色金属工业协会
• 主编：屠海令
• 地址：北京新街口外大街2号
• 邮编：100088
• 电子信箱：jrmchina@public.fhnet.cn.net
• 网址：http://zxjs.chinajournal.net.cn
• 卷：28
• 期：3
• 期刊索取号：P755.06 709-1
• 数据库收录：中文核心期刊；冶金工业类核心期刊；美国化学文摘（CA）源期刊；中国科技论文统计源期刊；中国科学引文数据库源期刊；中国物理学文献数据库原期刊
• 核心期刊：中文核心期刊；冶金工业类核心期刊

摘要

采用有效质量模型下的4×4Luttinger-Kohn哈密顿量矩阵对GaxIn_1-xAs/In_0.80Ga_0.20As_0.44P_0.56/InP量子阱结构进行了能带计算，求得了该量子阱结构跃迁能量随组份及阱宽的变化关系，从而得到了激射波长1.44μm时的Ga组份x与阱宽Lw（在5～10nm内取值）的相互关系：x=0.32013+0.06093L_w-0.00534L_w²+0.00017483Lw³，当阱宽为5～10nm，因而Ga组份为0.51～0.57时，阱材料中产生的张应变量为：0.29%～0.70%。最后，我们计算了该量子阱结构的能量色散关系和光增益谱，从而对x与Lw组合值进行优化。