真实自回避行走中晶体生长界面结构的分形行为

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• 责任者：彭年^c首都师范大学^d1977^e博士 ; 刘永顺 ; 聂保锋^c中国地质大学(北京) ; 刘宁强
• 刊名：岩石矿物学杂志
• 出版年：2007
• 卷期：26^b5总109
• 关键词：晶体生长 ; 分形分析20^a晶体结构 ; 数学模型30^a真实自回避行走
• 页码：449～452
• 索书号：P306/357-1
• 图表：^c参20插图
• 分类号：0200
• 文摘期号：2009/00

摘要

晶体生长过程实际上就是生长基元从周围环境中不断地通过界面而进入晶格座位的过程。一般认为,研究生长基元以何种方式以及如何通过界面进入晶格座位是晶体生长界面结构研究中的关键。在生长基元以分子或者原子的微粒子形式在生长环境中进行无规游走的前提下,该文运用真实自回避行走(TSAW)模型,通过重整化群思想来研究晶体生长界面结构的分形行为。研究发现:晶体生长界面结构的分形行为与生长基元的游走路径形态密切相关,并且在理想状况下真实自回避行走与标准Koch曲线的分形维极为接近。